蒸發腔室和LOAD LOCK腔體通過閥門閥隔開
蒸發腔體膠圈密封前開門便于腔體內部操作, 其余法蘭口均采用金屬密封
基片擋板開啟由膜厚儀閉環控制
可選配LOAD LOCK內等離子體或離子源基片清洗
可選配LOAD LOCK內基片氧化
系統安全互鎖
計算機控制全自動或手動操作
典型應用
用于薄膜沉積研發
用于LIFT-OFF工藝的理想平臺
可蒸發金屬,半導體或介質材料
可蒸發磁性材料
DE400BUL電子束蒸發鍍膜系統配置一個多坩堝電子束蒸發源,可在基片蒸發沉積金屬、半導體或介質材料
主要配置
蒸發腔體 | 304不銹鋼,前開門并有觀察窗 |
真空泵 | 蒸發室配備分子泵或冷凝泵和無油機械泵 |
真空閥門 | 氣動控高真空閥門 |
真空測量 | 寬量程真空計用于測量真空和粗抽計 |
蒸發源 | 6個坩堝電子束蒸發源自動導位 |
樣品臺
| 頂部安裝的自轉基片臺
側面安裝的可傾角和自轉基片臺
(可選加熱至800度)
(可選冷卻至-150度) |
膜厚檢測 | 晶振速率膜厚監控 |
樣品準備室 | 304不銹鋼,前開門并有觀察窗 |
主要技術指標
極限真空度 | 5E-9Torr |
裝樣能力 | 一個最大6英寸的平板基片或多個小片 |
膜厚均勻性 | 在旋轉的4英寸基片上為+/-2% (2000埃鈦膜) |
蒸發速率分辨率 | 0.1 Angstroms/sec |
膜厚分辨率 | 0.1 Angstroms |